ساخت نخستين ترانزيستور بدون اتصال با نانوسيم سيليکونی
به گفته محققان، اين افزاره که ايده آن نخستين بار در سال 1925 داده شده ولي تاکنون ساخته نشده است، خواص الکتريکی نسبتاً ايدهآلی دارد. اين افزاره در مقايسه با ترانزيستورهای مرسوم امروزي به صورت بالقوه ميتواند سريعتر و با توان کمتر کار کند.
ترانزيستورهاي امروزي داراي اتصالات نيمهرسانا ميباشند. معمولترين نوع اتصال، اتصال p-n است که بهوسيلة تماس بين يک قطعه سيليکوني نوع p و يک قطعه سيليکوني نوع n تشکيل ميشود. در قطعه نوع p، سيليکون براي ايجاد حفرههاي اضافي با ناخالصيها دوپ ميشود و در قطعه نوع p، سيليکون براي ايجاد الکترونهاي اضافي با ناخالصيها دوپ ميشود.









